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dc.rights.licensehttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.contributor.authorGennadiy Burlak-
dc.contributor.authorROBERTO ROJAS LAGUNAes_MX
dc.contributor.authorJULIÁN MOISÉS ESTUDILLO AYALAes_MX
dc.contributor.authorJUAN GABRIEL AVIÑA CERVANTESes_MX
dc.contributor.authorOSCAR GERARDO IBARRA MANZANOes_MX
dc.creatorMIGUEL TORRES CISNEROSes_MX
dc.date2012-02-09-
dc.date.accessioned2019-06-25T00:44:39Z-
dc.date.available2019-06-25T00:44:39Z-
dc.date.issued2012-02-09-
dc.identifier.urihttp://repositorio.ugto.mx/handle/20.500.12059/1058-
dc.description.abstractEn este trabajo, utilizamos el espectro de la luz reflejada en una muestra de Arsenuro de Galio (GaAs) bajo la influencia de una onda ultrasónica. El diferencial espectral es calculado como una diferencia entre el espectro del material obtenido bajo la influencia del ultrasonido y aquél obtenido sin dicha influencia. Este diferencial de reflectancia espectral acusto-óptico (AODR) contiene algunas bandas que representan los niveles energéticos de los centros en la superficie de la muestra. Esta técnica está basada en la perturbación de los estados locales generada por el ultrasonido. Particularmente, este trabajo presenta un método para caracterizar los estados locales en la superficie y las interfaces en los cristales, así como estructuras epiteliales de baja dimensión basadas en materiales semiconductores. Para ello, se presenta un modelo teórico para explicar dicho espectro de reflectancia diferencial (AODR). También se realizaron experimentos con estructuras de GaAs epitelial contaminado con Teluro (Te). Los resultados teóricos y experimentales obtenidos muestran que este método es una buena herramienta para caracterizar las trampas superficiales en estructuras epiteliales de semiconductores.es_MX
dc.formatapplication/pdf-
dc.language.isoengen
dc.publisherUniversidad de Guanajuatoes_MX
dc.relationhttp://www.actauniversitaria.ugto.mx/index.php/acta/article/view/211-
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_MX
dc.sourceActa Universitaria. Multidisciplinary Scientific Journal. Vol 15 No 2 (2005)-
dc.sourceISSN: 2007-9621-
dc.titleShallow Levels Characterization in Epitaxial GaAs by Acousto-Optic Reflectanceen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_MX
dc.creator.idinfo:eu-repo/dai/mx/cvu/12567es_MX
dc.subject.ctiinfo:eu-repo/classification/cti/1es_MX
dc.subject.keywordsSemiconductorses_MX
dc.subject.keywordsOptical reflectancees_MX
dc.subject.keywordsShallow levelses_MX
dc.subject.keywordsSemiconductoreses_MX
dc.subject.keywordsReflectancia ópticaes_MX
dc.subject.keywordsNiveles superficialeses_MX
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones_MX
dc.creator.twoRAFAEL GUZMAN CABRERA-
dc.creator.threeLUZ ANTONIO AGUILERA CORTES-
dc.creator.fourEDGAR ALVARADO MENDEZ-
dc.creator.fiveJosé Amparo Andrade Lucio-
dc.creator.idtwoinfo:eu-repo/dai/mx/cvu/88306-
dc.creator.idthreeinfo:eu-repo/dai/mx/cvu/120376-
dc.creator.idfourinfo:eu-repo/dai/mx/cvu/19455-
dc.creator.idfiveinfo:eu-repo/dai/mx/cvu/19465-
dc.description.abstractEnglishOptical spectra of light reflection are detected under an influence of ultrasonic wave (UW) on a GaAs wafer. The differential spectrum is calculated as a difference between those taken under UW and without that influence on a sample. This acousto-optic differential reflectance (AODR) spectrum contains some bands that represent the energetic levels of the shallow centers in a sample. A physical basis of this technique is related to a perturbation of local states by UW. Here, a method is developed for characterization of local states at the surfaces and interfaces in crystals and low-dimensional epitaxial structures based on microelectronics materials. A theoretical model is presented to explain AODR spectra. Also, experiments using epitaxial GaAs structures doped by Te were made. Finally, theoretical and experimental results show that acousto-optic reflectance is an effective tool for characterization of shallow trapping centers in epitaxial semiconductor structures.en
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