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dc.rights.licensehttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.creatorJOSE AARON RODRIGUEZ JIMENEZes_MX
dc.date.accessioned2020-11-10T19:15:52Z-
dc.date.available2020-11-10T19:15:52Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.urihttp://repositorio.ugto.mx/handle/20.500.12059/3331es_MX
dc.description.abstractEl Arseniuro de Galio (GaAs) es un material de elevada importancia para la industria electrónica por sus propiedades como semiconductor, los compuestos de GaAs presentan ventajas sobrelos de Si, las propiedades de este material a nivel macroscópico son bien conocidas, sin embargo, el conocimiento de ellas A NIVEL NANOMÉTRICO o como clúster (nanopartículado) resultan de mayor interés ya que en este nivel las propiedades son diferentes a las observadas a nivel macroscópico, pues se manifiestan los efectos cuánticos y las propiedades cambian notoriamente de acuerdo al tamaño, composición y topología del clúster.Los clústeres de determinado tamaño presentan una estabilidad mayor relacionada con el llenado de sus capas electrónicas. En este trabajo usamos la Teoría de Funcionales de la Densidad (DFT, por sus siglas en inglés) empleando el funcional PBE (tipo GGA) y el conjunto base TZ2P para el estudio de las propiedades electrónicas y geometrías de enlace de clusters pequeños de Gan, Asmy de clusters mixtos GanAsmcon n + m ≤ 6.Los resultados obtenidos muestran una dependencia entre la composición y el tamaño de los clústeres con sus propiedades electrónicas, notando que la proporción entre el Ga y el As es importante en estos sistemas, la adición o eliminación de un átomo de cualquiera de estas dos especies puede afectar notoriamente a las propiedades del cúmulo completoes_MX
dc.language.isospaes_MX
dc.publisherUniversidad de Guanajuatoes_MX
dc.relationhttp://www.jovenesenlaciencia.ugto.mx/index.php/jovenesenlaciencia/article/view/887es_MX
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_MX
dc.sourceJóvenes en la Ciencia: Jóvenes Investigadores Vol. 3, No.1 (2017)es_MX
dc.titleEstudio teórico-computacional de los clústeres de GanAsm (n+m ≤6)es_MX
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_MX
dc.creator.idinfo:eu-repo/dai/mx/cvu/670134es_MX
dc.subject.ctiinfo:eu-repo/classification/cti/7es_MX
dc.subject.keywordsClústereses_MX
dc.subject.keywordsTeoría de Funcionales de la Densidad (DFT)es_MX
dc.subject.keywordsSemiconductoreses_MX
dc.subject.keywordsArseniuro de Galioes_MX
dc.subject.keywordsQuímica computacionales_MX
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones_MX
dc.creator.twoErick Díaz Cervanteses_MX
dc.creator.threeJUVENCIO ROBLES GARCIAes_MX
dc.creator.idthreeinfo:eu-repo/dai/mx/cvu/5350es_MX
dc.description.abstractEnglishGallium arsenide (GaAs) is a highly important material for the electronic industry due to its semiconducting properties. GaAs compounds present advantages over the Si compounds, the properties of this material at bulk phase are well known, however the studies at cluster level are quite interesting, since it is at this level that the properties may be very different from the ones observed at bulk phase, because quantum effects become more important. These properties change according to the size of the cluster, composition and topology that constitutes it. Clusters of a certain size present an increase in stability related to the filling of their electronic shells. In this work we used the density functional theory (DFT), specifically the PBE functional (type GGA) and the basis set TZ2P for calculation and to study the electronic properties and geometries of small clusters of GaAs. The results obtained show a dependence between the composition, size, and electronic properties. We note that the proportion between Ga and As in each cluster is important since the addition or elimination of an atom in any of these species can affect the properties of the whole clusteren
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