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dc.rights.licensehttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.contributorADRIAN HERNANDEZ PEREZes_MX
dc.creatorJULET MARCELA MENDEZ HERNANDEZes_MX
dc.date.accessioned2023-06-30T16:17:06Z-
dc.date.available2023-06-30T16:17:06Z-
dc.date.issued2018-11-
dc.identifier.urihttp://repositorio.ugto.mx/handle/20.500.12059/8861-
dc.description.abstractLa mezcla constituida por los polímeros semiconductores, P3HT y PCBM, en el solvente CB, ha sido estudiada de forma amplia en los aspectos electro-mecánicos, mecánicos y eléctricos, definiendo las combinaciones y espesores que permiten emplear propiedades mejoradas y entregar resultados efectivos. Esta tesis examina la interacción entre las propiedades elásticas y la resistencia eléctrica de la película delgada compuesta por los polímeros mencionados (capa activa), sobre un sustrato flexible recubierto con conductor eléctrico, tras la acción de fuerzas en tensión y flexión. El monitoreo de la resistencia eléctrica es realizado mediante el método de medición a 4 puntas, o método de Kelvin, durante el trayecto de deformaciones que corresponde a la zona elástica del material. En la zona del especímen de pruebas sujeta a tensión, se detectan grietas pequeñas alrededor de 1 nm de espesor y separaciones que oscilan entre 5 y 19 μm en la superficie de la capa activa, por lo cual, no se recomienda su uso en procesos que involucren estiramiento del material. Las pruebas de flexión sugieren que el material puede trabajar en condiciones de enrollado, siempre y cuando, el radio de curvatura se encuentre alrededor de los 10 mm y la superficie que contiene a la capa activa se encuentre trabajando a tensión (debida a la flexión) pues la conductividad eléctrica es débilmente afectada. Adicionalmente, se observó que cargas a compresión (generadas en la prueba de flexión) hacen que la capa activa pierda su utilidad de enrollado, aún cuando se mantienen iguales condiciones iniciales, pues el mismo radio de curvatura incide sobre la resistencia y resistividad eléctrica, ya que la deformación alcanzada logra sobrepasar el parámetro nombrado como ``Crack Onset Strain'' (COS) o deformación para inicio de grietas, el cual es el criterio de falla fundamental empleado en este trabajo.es_MX
dc.language.isospaes_MX
dc.publisherUniversidad de Guanajuatoes_MX
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_MX
dc.subject.classificationCIS- Maestría en Ingeniería Mecánicaes_MX
dc.titleAnálisis del comportamiento elástico y eléctrico de películas delgadas (P3HT-PCBM)/ITO/PETes_MX
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesises_MX
dc.creator.idinfo:eu-repo/dai/mx/cvu/791577es_MX
dc.subject.ctiinfo:eu-repo/classification/cti/7es_MX
dc.subject.ctiinfo:eu-repo/classification/cti/33es_MX
dc.subject.ctiinfo:eu-repo/classification/cti/3313es_MX
dc.subject.keywordsPelículas delgadas (P3HT-PCBM)/ITO/PETes_MX
dc.subject.keywordsPolímeros semiconductoreses_MX
dc.subject.keywordsCeldas solares fotovoltaicases_MX
dc.subject.keywordsParámetro de Comienzo de Grietas y Deformación (COS)es_MX
dc.subject.keywordsThin films (P3HT-PCBM)/ITO/PETen
dc.subject.keywordsPolymeric semiconductorsen
dc.subject.keywordsPhotovoltaic solar cellsen
dc.subject.keywordsCrack Onset Strain parameter (COS)en
dc.contributor.idinfo:eu-repo/dai/mx/cvu/206596es_MX
dc.contributor.roledirectores_MX
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones_MX
dc.contributor.twoERIC NOE HERNANDEZ RODRIGUEZes_MX
dc.contributor.idtwoinfo:eu-repo/dai/mx/cvu/205760es_MX
dc.contributor.roletwodirectores_MX
dc.description.abstractEnglishThe solution of the polymeric semiconductors P3HT and PCBM in Cb has been widely studied in electro-mechanical aspects. The characteristics and thicknesses that allow to improve the properties, and deliver effective results have been defined from that. This thesis examines the possible interaction between mechanical and electrical properties of the thin film of previously mentioned solution (active layer), applied on a flexible substrate coated with an electrical conductor, under the action of mechanical loading. The change on electrical resistance is monitored using “in-situ” four-point probe within the elastic and plastic regimes. Small cracks around 1 nm of tickness and separated between 5 and 19 µm were detected in the elastic zones of tension. Three-point bending test suggests that the material can be working in curvatures up to 10 mm or less and the surface with the active layer work under bending tension loads. Additionally compressive loads due to bending make that the active layer loses its roll utility, even though, initial conditions are maintained. The same curvature radius influences the electrical resistance and resistivity since strains can overcome the crack onset strain (COS). These results allow to define up to what point of deformation its use continues to be effective.en
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