Estudio teórico-computacional de los clústeres de GanAsm (n+m ≤6)

Abstract

El Arseniuro de Galio (GaAs) es un material de elevada importancia para la industria electrónica por sus propiedades como semiconductor, los compuestos de GaAs presentan ventajas sobrelos de Si, las propiedades de este material a nivel macroscópico son bien conocidas, sin embargo, el conocimiento de ellas A NIVEL NANOMÉTRICO o como clúster (nanopartículado) resultan de mayor interés ya que en este nivel las propiedades son diferentes a las observadas a nivel macroscópico, pues se manifiestan los efectos cuánticos y las propiedades cambian notoriamente de acuerdo al tamaño, composición y topología del clúster.Los clústeres de determinado tamaño presentan una estabilidad mayor relacionada con el llenado de sus capas electrónicas. En este trabajo usamos la Teoría de Funcionales de la Densidad (DFT, por sus siglas en inglés) empleando el funcional PBE (tipo GGA) y el conjunto base TZ2P para el estudio de las propiedades electrónicas y geometrías de enlace de clusters pequeños de Gan, Asmy de clusters mixtos GanAsmcon n + m ≤ 6.Los resultados obtenidos muestran una dependencia entre la composición y el tamaño de los clústeres con sus propiedades electrónicas, notando que la proporción entre el Ga y el As es importante en estos sistemas, la adición o eliminación de un átomo de cualquiera de estas dos especies puede afectar notoriamente a las propiedades del cúmulo completo