Estudio de las propiedades cuánticas de los polímeros basados en silicio; en particular de los polisilanos

Abstract

Se llevó a cabo el estudio de los efectos de la radiación UV sobre muestras de polisilanos con diferentes grupos sustituyentes. El objetivo de este estudio fue el de realizar una correlación entre la deslocalización electrónica y la fotosensibilidad ante la irradiación UV. Muestras de poli(ferrocenilmetilsilano-Co-fenilmetilsilano) (PFFMS) y del poli(dimetilsilano) (PDMS) fueron irradiadas a diferentes tiempos de exposición. A través de la espectroscopía de UV, se pudo observar los cambios en la λmáx de absorbancia en la región de ultravioleta, evaluar la aparición de bandas nuevas de absorción IR en función del tiempoasí cambios conformacionales utilizando la espectroscopía RAMAN. Los espectros IR no mostraron aparición de nuevas bandas tal y como se esperaba; probando, que la exposición a UV no provoca cambios a nivel monomérico en los polisilanos estudiados. La espectroscopía RAMAN evidenció, que para el PDMS, la presencia de bandas vibracionales correspondientes a las conformaciones Anti-Transdel enlace Si-Si; por otra parte, el espectro Raman para el PFFMS no presenta bandas vibracionales en la región de 400-600 cm-1, sin embargo, si se observan en el intervalo de los 1050-1100 cm-1, que identifican a conformaciones del tipo Gauche. Hay que destacar, que en el PDMS la participación de la conjugación σ tiene un efecto sobre el desplazamiento RAMAN similar a la observada en los polienos, confirmando la dependencia de esta conjugación sobre la conformación de los polidialquilsilanos.